中科字化图3掺杂效率表征a)PDPH和PDPF薄膜的自旋密度。
由于NIR-I光谱区存在有限的组织穿透深度、院院数源网大量的组织自发荧光和明显的背景噪声缺点，所以NIR-I仍然不是最佳选择。然而，士周NIR-II展示其在生物成像上的独特优势，士周例如高选择性活细胞成像、脑血管系统和深部脑肿瘤的高分辨率穿头颅成像以及对血流的实时超快速监测。
NIR-II，孝信协调1000~1700nm，灰色阴影）。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，推动投稿邮箱[email protected].投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaokefu.。2.1.2、荷储金属硫化物、宽带隙半导体和稀土纳米粒子的NIR-II荧光成像Figure3.无机纳米材料的NIR-II荧光成像。
目前，发展利用NIR-II荧光和光声（PA）成像的无创成像技术，就体现了NIR-II光学成像的巨大吸引力。2.1.2、中科字化有机小分子的NIR-II荧光成像Figure5.有机小分子的NIR-II荧光成像。
院院数源网a）pDA聚合物的合成路线。
士周c）TSPN的信噪比（SNR）与从1064nm处的激光激发照射的组织表面的深度的函数关系。CNT修饰的锂金属循环500圈后在金属锂和CNT层间形成一层厚厚的锂金属分级层，孝信协调而GZCNT修饰的锂金属循环500圈后，孝信协调形成了紧密的Li/CNT界面，Li沿着底层的亲锂层均匀生长，但不会刺破顶层的憎锂层。
他们同时证明，推动GZCNT梯度层应用在铜集流体、10cm2的软包电池和锂硫电池都有着优异的性能。荷储（b）由GZCNT界面层修饰的锂金属组装的软包电池照片。
亲锂的底层与金属锂紧密结合，发展可促进稳定的固态电解质膜（SEI）的形成，发展抑制金属锂和亲锂层层间形成锂枝晶，顶层的憎锂层因具有较大的模量可以抑制锂枝晶的进一步生长，而中间的缓冲层又可以防止因亲锂、憎锂的突然转变而产生明显的锂枝晶分级层，从而确保金属锂负极的超长循环。【成果简介】近日武汉理工大学麦立强教授、中科字化军事科学院防化研究院张浩博士（共同通讯作者）等发现憎锂、中科字化较大的机械强度以及良好的Li离子扩散动力学是构建锂金属界面层的三个必要条件
